IXKC19N60C5

Atributo del producto

Valor de atributo

Fabricante:

IXYS

Categoria de producto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnología:

Si

Estilo de montaje:

A través del orificio

Paquete / Caja:

TO-220-3

Número de canales:

1 Channel

Polaridad del transistor:

Canal N

Vds - Voltaje de ruptura de drenaje-fuente:

600 V

Id - Corriente de drenaje continua:

19 A

Rds On - Resistencia de la fuente de drenaje:

125 mOhms

Vgs - Voltaje puerta-fuente:

20 V

Temperatura mínima de funcionamiento:

- 55 C

Temperatura máxima de funcionamiento:

+ 150 C

Pd - Disipación de energía:

132 W

Configuración:

Único

Modo de canal:

Mejora

Nombre comercial:

COOLMOS

Embalaje:

Tubo

Altura:

16 mm

Longitud:

11 mm

Serie:

IXKC19N60

Tipo de transistor:

1 N-Channel

Ancho:

5 mm

Marca:

IXYS

Otoño:

5 ns

Tipo de producto:

MOSFET

Hora de levantarse:

5 ns

Cantidad de paquete de fábrica:

50

Subcategoría:

MOSFET

Tiempo de retardo de apagado típico:

50 ns

Tiempo típico de retardo de encendido:

15 ns

Unidad de peso:

0.012346 oz

Tags

IXKC1, IXKC, IXK