2DB1386R-13

Atributo del producto

Valor de atributo

Fabricante:

Diodos incorporados

Categoria de producto:

Transistores bipolares - BJT

RoHS:

Y

Estilo de montaje:

SMD / SMT

Paquete / Caja:

SOT-89-3

Polaridad del transistor:

PNP

Configuración:

Único

Voltaje colector-emisor VCEO Max:

- 20 V

Colector- Voltaje base VCBO:

- 30 V

Emisor- Voltaje base VEBO:

- 6 V

Voltaje de saturación colector-emisor:

- 250 mV

Corriente máxima del colector de CC:

- 5 A

Producto de ganancia de ancho de banda fT:

100 MHz

Temperatura mínima de funcionamiento:

- 55 C

Temperatura máxima de funcionamiento:

+ 150 C

Serie:

2DB13

Ganancia de corriente CC hFE Max:

180 at 500 mA, 2 V

Altura:

1.5 mm

Longitud:

4.5 mm

Embalaje:

Carrete

Ancho:

2.48 mm

Marca:

Diodos incorporados

Colector de CC / Ganancia base hfe Min:

180 at 500 mA, 2 V

Pd - Disipación de energía:

1000 mW

Tipo de producto:

BJT - Transistores bipolares

Cantidad de paquete de fábrica:

2500

Subcategoría:

Transistores

Unidad de peso:

0.004603 oz

Tags

2DB1386R, 2DB13, 2DB1, 2DB