FDPF18N20FT-G

Atributo del producto

Valor de atributo

Fabricante:

EN Semiconductor

Categoria de producto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnología:

Si

Estilo de montaje:

A través del orificio

Paquete / Caja:

TO-220FP-3

Número de canales:

1 Channel

Polaridad del transistor:

Canal N

Vds - Voltaje de ruptura de drenaje-fuente:

200 V

Id - Corriente de drenaje continua:

18 A

Rds On - Resistencia de la fuente de drenaje:

140 mOhms

Vgs th - Voltaje umbral puerta-fuente:

5 V

Vgs - Voltaje puerta-fuente:

30 V

Qg - Carga de puerta:

20 nC

Temperatura mínima de funcionamiento:

- 55 C

Temperatura máxima de funcionamiento:

+ 150 C

Pd - Disipación de energía:

35 W

Configuración:

Único

Modo de canal:

Mejora

Nombre comercial:

UniFET

Embalaje:

Tubo

Altura:

16.07 mm

Longitud:

10.36 mm

Serie:

FDPF18N20FT_G

Tipo de transistor:

1 N-Channel

Ancho:

4.9 mm

Marca:

ON Semiconductor / Fairchild

Transconductancia directa - Mín .:

13.6 S

Otoño:

40 ns

Tipo de producto:

MOSFET

Hora de levantarse:

50 ns

Cantidad de paquete de fábrica:

1000

Subcategoría:

MOSFET

Tiempo de retardo de apagado típico:

50 ns

Tiempo típico de retardo de encendido:

16 ns

Parte # Alias:

FDPF18N20FT_G

Unidad de peso:

0.080072 oz

Tags

FDPF18N20F, FDPF18N2, FDPF18, FDPF1, FDPF, FDP