F3L15MR12W2M1B69BOMA1

F3L15MR12W2M1B69BOMA1
Mfr. #:
F3L15MR12W2M1B69BOMA1
Fabricante:
Infineon Technologies
Descripción:
Discrete Semiconductor Modules
Ciclo vital:
Nuevo de este fabricante.
Ficha de datos:
F3L15MR12W2M1B69BOMA1 Ficha de datos
Entrega:
DHL FedEx Ups TNT EMS
Pago:
T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
ECAD Model:
Más información:
F3L15MR12W2M1B69BOMA1 más información
Atributo del producto
Valor de atributo
Fabricante:
Infineon
Categoria de producto:
Módulos de semiconductores discretos
RoHS:
Y
Producto:
Módulos MOSFET de potencia
Escribe:
MOSFET CoolSiC
Vf - Voltaje directo:
4.6 V at 75 A
Vgs - Voltaje puerta-fuente:
- 10 V, 20 V
Estilo de montaje:
Montaje con tornillo
Paquete / Caja:
AG-EASY2BM-2
Temperatura mínima de funcionamiento:
- 40 C
Temperatura máxima de funcionamiento:
+ 150 C
Embalaje:
Bandeja
Configuración:
3-Level
Marca:
Infineon Technologies
Polaridad del transistor:
Canal N
Otoño:
18 ns
Id - Corriente de drenaje continua:
75 A
Tipo de producto:
Módulos de semiconductores discretos
Rds On - Resistencia de la fuente de drenaje:
15 mOhms
Hora de levantarse:
13 ns
Cantidad de paquete de fábrica:
15
Subcategoría:
Módulos de semiconductores discretos
Nombre comercial:
EasyPACK CoolSiC MOSFET
Tiempo de retardo de apagado típico:
64 ns
Tiempo típico de retardo de encendido:
24 ns
Vds - Voltaje de ruptura de drenaje-fuente:
1200 V
Vgs th - Voltaje umbral puerta-fuente:
3.45 V
Parte # Alias:
F3L15MR12W2M1_B69 SP001710612
Tags
F3L15, F3L1, F3L
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Step1: Vacuum Packaging with PL
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Packaging Boxes
1200V CoolSiC™ Modules
Infineon Technologies 1200V CoolSiC™ Modules are Silicon Carbide (SiC) MOSFET modules that offer good levels of efficiency and system flexibility. These modules come with Near Threshold Circuits (NTC) and PressFIT contact technology. The CoolSiC modules feature high current density, best in class switching and conduction losses, and low inductive design. These modules provide high-frequency operation, increased power density, and optimized development cycle time and cost.
Imagen Parte # Descripción
C2M0040120D

Mfr.#: C2M0040120D

OMO.#: OMO-C2M0040120D

MOSFET SiC Power MOSFET 1200V, 60A
C2M0040120D

Mfr.#: C2M0040120D

OMO.#: OMO-C2M0040120D-WOLFSPEED

MOSFET N-CH 1200V 60A TO-247
Disponibilidad
Valores:
20
En orden:
2003
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Precio de referencia (USD)
Cantidad
Precio unitario
Ext. Precio
1
171,13 US$
171,13 US$
5
167,01 US$
835,05 US$
10
162,86 US$
1 628,60 US$
25
160,58 US$
4 014,50 US$
Debido a la escasez de semiconductores a partir de 2021, el precio inferior es el precio normal antes de 2021. Envíe una consulta para confirmar.
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