BSB165N15NZ3 G

Atributo del producto

Valor de atributo

Fabricante:

Infineon

Categoria de producto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnología:

Si

Estilo de montaje:

SMD / SMT

Paquete / Caja:

WDSON-2-3

Número de canales:

1 Channel

Polaridad del transistor:

Canal N

Vds - Voltaje de ruptura de drenaje-fuente:

150 V

Id - Corriente de drenaje continua:

45 A

Rds On - Resistencia de la fuente de drenaje:

13.1 mOhms

Vgs th - Voltaje umbral puerta-fuente:

2 V

Vgs - Voltaje puerta-fuente:

20 V

Qg - Carga de puerta:

35 nC

Temperatura mínima de funcionamiento:

- 40 C

Temperatura máxima de funcionamiento:

+ 150 C

Pd - Disipación de energía:

78 W

Configuración:

Único

Modo de canal:

Mejora

Nombre comercial:

OptiMOS

Embalaje:

Carrete

Altura:

0.7 mm

Longitud:

6.35 mm

Serie:

OptiMOS 3

Tipo de transistor:

1 N-Channel

Ancho:

5.05 mm

Marca:

Infineon Technologies

Transconductancia directa - Mín .:

24 S

Otoño:

7 ns

Sensible a la humedad:

Yes

Tipo de producto:

MOSFET

Hora de levantarse:

10 ns

Cantidad de paquete de fábrica:

5000

Subcategoría:

MOSFET

Tiempo de retardo de apagado típico:

17 ns

Tiempo típico de retardo de encendido:

10 ns

Parte # Alias:

BSB165N15NZ3GXT BSB165N15NZ3GXUMA1 SP000617000

Tags

BSB165, BSB16, BSB1, BSB