2N7002LT7G

Atributo del producto

Valor de atributo

Fabricante:

EN Semiconductor

Categoria de producto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnología:

Si

Estilo de montaje:

SMD / SMT

Paquete / Caja:

SOT-23-3

Número de canales:

1 Channel

Polaridad del transistor:

Canal N

Vds - Voltaje de ruptura de drenaje-fuente:

60 V

Id - Corriente de drenaje continua:

115 mA

Rds On - Resistencia de la fuente de drenaje:

7.5 Ohms

Vgs th - Voltaje umbral puerta-fuente:

1 V

Vgs - Voltaje puerta-fuente:

10 V

Temperatura mínima de funcionamiento:

- 55 C

Temperatura máxima de funcionamiento:

+ 150 C

Pd - Disipación de energía:

300 mW

Configuración:

Único

Modo de canal:

Mejora

Embalaje:

Carrete

Tipo de transistor:

1 N-Channel Small Signal MOSFET

Marca:

EN Semiconductor

Transconductancia directa - Mín .:

80 mS

Kit de desarrollo:

NCP1095GEVB, NCP1096GEVB

Tipo de producto:

MOSFET

Cantidad de paquete de fábrica:

3500

Subcategoría:

MOSFET

Tiempo de retardo de apagado típico:

40 ns

Tiempo típico de retardo de encendido:

20 ns

Tags

2N7002LT, 2N7002L, 2N7002, 2N700, 2N70, 2N7