IXTH6N150

Atributo del producto

Valor de atributo

Fabricante:

IXYS

Categoria de producto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnología:

Si

Estilo de montaje:

A través del orificio

Paquete / Caja:

TO-247-3

Polaridad del transistor:

Canal N

Vds - Voltaje de ruptura de drenaje-fuente:

500 V

Id - Corriente de drenaje continua:

6 A

Rds On - Resistencia de la fuente de drenaje:

3.5 Ohms

Vgs th - Voltaje umbral puerta-fuente:

5 V

Qg - Carga de puerta:

67 nC

Temperatura mínima de funcionamiento:

- 55 C

Temperatura máxima de funcionamiento:

+ 150 C

Pd - Disipación de energía:

540 W

Modo de canal:

Mejora

Embalaje:

Tubo

Producto:

MOSFET de potencia

Serie:

IXTH6N150

Escribe:

MOSFET de potencia de alto voltaje

Marca:

IXYS

Transconductancia directa - Mín .:

6.5 mS

Otoño:

38 ns

Tipo de producto:

MOSFET

Hora de levantarse:

20 ns

Cantidad de paquete de fábrica:

30

Subcategoría:

MOSFET

Tiempo de retardo de apagado típico:

50 ns

Tiempo típico de retardo de encendido:

22 ns

Unidad de peso:

0.229281 oz

Tags

IXTH6N1, IXTH6N, IXTH6, IXTH, IXT