AFT31150NR5

Atributo del producto

Valor de atributo

Fabricante:

NXP

Categoria de producto:

Transistores RF MOSFET

RoHS:

Y

Polaridad del transistor:

Canal N

Tecnología:

Si

Id - Corriente de drenaje continua:

1.8 A

Vds - Voltaje de ruptura de drenaje-fuente:

- 500 mV, 65 V

Ganar:

17 dB

Potencia de salida:

150 W

Temperatura mínima de funcionamiento:

- 40 C

Temperatura máxima de funcionamiento:

+ 150 C

Estilo de montaje:

SMD / SMT

Paquete / Caja:

OM-780-2L

Embalaje:

Carrete

Frecuencia de operación:

2700 MHz to 3100 MHz

Serie:

AFT31150N

Escribe:

RF Power MOSFET

Marca:

Semiconductores NXP

Número de canales:

1 Channel

Sensible a la humedad:

Yes

Pd - Disipación de energía:

741 W

Tipo de producto:

Transistores RF MOSFET

Cantidad de paquete de fábrica:

50

Subcategoría:

MOSFET

Vgs - Voltaje puerta-fuente:

- 6 V, 10 V

Vgs th - Voltaje umbral puerta-fuente:

1.2 V

Parte # Alias:

935346512578

Unidad de peso:

0.108683 oz

Tags

AFT3, AFT