TPH2900ENH,L1Q

Atributo del producto

Valor de atributo

Fabricante:

Toshiba

Categoria de producto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnología:

Si

Estilo de montaje:

SMD / SMT

Paquete / Caja:

SOP-Advance-8

Número de canales:

1 Channel

Polaridad del transistor:

Canal N

Vds - Voltaje de ruptura de drenaje-fuente:

200 V

Id - Corriente de drenaje continua:

33 A

Rds On - Resistencia de la fuente de drenaje:

24 mOhms

Vgs th - Voltaje umbral puerta-fuente:

2 V

Vgs - Voltaje puerta-fuente:

20 V

Qg - Carga de puerta:

22 nC

Temperatura mínima de funcionamiento:

- 55 C

Temperatura máxima de funcionamiento:

+ 150 C

Pd - Disipación de energía:

78 W

Configuración:

Único

Modo de canal:

Mejora

Embalaje:

Carrete

Altura:

0.95 mm

Longitud:

5 mm

Serie:

TPH2900ENH

Ancho:

5 mm

Marca:

Toshiba

Otoño:

12 ns

Tipo de producto:

MOSFET

Hora de levantarse:

8 ns

Cantidad de paquete de fábrica:

5000

Subcategoría:

MOSFET

Tiempo de retardo de apagado típico:

36 ns

Tiempo típico de retardo de encendido:

20 ns

Unidad de peso:

0.030018 oz

Tags

TPH29, TPH2, TPH