DMN16M9UCA6-7

Atributo del producto

Valor de atributo

Fabricante:

Diodos incorporados

Categoria de producto:

MOSFET

Tecnología:

Si

Número de canales:

2 Channel

Polaridad del transistor:

Canal N, NPN

Vgs th - Voltaje umbral puerta-fuente:

500 mV

Vgs - Voltaje puerta-fuente:

4.5 V

Qg - Carga de puerta:

35.2 nC

Temperatura mínima de funcionamiento:

- 55 C

Temperatura máxima de funcionamiento:

+ 150 C

Pd - Disipación de energía:

2.4 W

Configuración:

Doble

Modo de canal:

Mejora

Calificación:

AEC-Q101

Tipo de transistor:

2 N-Channel

Marca:

Diodos incorporados

Otoño:

3812 ns

Tipo de producto:

MOSFET

Hora de levantarse:

1447 ns

Cantidad de paquete de fábrica:

3000

Subcategoría:

MOSFET

Tiempo de retardo de apagado típico:

2736 ns

Tiempo típico de retardo de encendido:

615 ns

Tags

DMN16, DMN1, DMN