SBCP56T1G

Atributo del producto

Valor de atributo

Fabricante:

EN Semiconductor

Categoria de producto:

Transistores bipolares - BJT

RoHS:

Y

Estilo de montaje:

SMD / SMT

Paquete / Caja:

SOT-223-4

Polaridad del transistor:

NPN

Configuración:

Único

Voltaje colector-emisor VCEO Max:

80 V

Colector- Voltaje base VCBO:

100 V

Emisor- Voltaje base VEBO:

5 V

Corriente máxima del colector de CC:

1 A

Producto de ganancia de ancho de banda fT:

130 MHz

Temperatura mínima de funcionamiento:

- 65 C

Temperatura máxima de funcionamiento:

+ 150 C

Serie:

BCP56

Ganancia de corriente CC hFE Max:

25 at 5 mA, 2 V

Altura:

1.57 mm

Longitud:

6.5 mm

Embalaje:

Carrete

Ancho:

3.5 mm

Marca:

EN Semiconductor

Colector de CC / Ganancia base hfe Min:

25 at 5 mA, 2 V, 40 at 150 mA, 2 V, 25 at 500 mA, 2 V

Pd - Disipación de energía:

1500 mW

Tipo de producto:

BJT - Transistores bipolares

Calificación:

AEC-Q101

Cantidad de paquete de fábrica:

1000

Subcategoría:

Transistores

Unidad de peso:

0.003951 oz

Tags

SBCP56, SBCP5, SBCP, SBC