STO33N60M6

Atributo del producto

Valor de atributo

Fabricante:

STMicroelectronics

Categoria de producto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnología:

Si

Estilo de montaje:

SMD / SMT

Paquete / Caja:

TO-LL-8

Número de canales:

1 Channel

Polaridad del transistor:

Canal N

Vds - Voltaje de ruptura de drenaje-fuente:

600 V

Id - Corriente de drenaje continua:

25 A

Rds On - Resistencia de la fuente de drenaje:

125 mOhms

Vgs th - Voltaje umbral puerta-fuente:

3.25 V

Vgs - Voltaje puerta-fuente:

25 V

Qg - Carga de puerta:

33.4 nC

Temperatura mínima de funcionamiento:

- 55 C

Temperatura máxima de funcionamiento:

+ 150 C

Pd - Disipación de energía:

230 W

Configuración:

Único

Modo de canal:

Mejora

Embalaje:

Carrete

Serie:

STO33N60M6

Tipo de transistor:

1 N-Channel

Marca:

STMicroelectronics

Otoño:

7.5 ns

Tipo de producto:

MOSFET

Hora de levantarse:

33 ns

Cantidad de paquete de fábrica:

1800

Subcategoría:

MOSFET

Tiempo de retardo de apagado típico:

38.5 ns

Tiempo típico de retardo de encendido:

19.5 ns

Tags

STO3, STO