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IPB04CN10N G

IPB04CN10N G
Mfr. #:
IPB04CN10N G
Fabricante:
Infineon Technologies AG
Descripción:
MOSFET N-Ch 100V 100A D2PAK-2
Ciclo vital:
Nuevo de este fabricante.
Ficha de datos:
IPB04CN10N G Ficha de datos
Entrega:
DHL FedEx Ups TNT EMS
Pago:
T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
ECAD Model:
Atributo del producto
Valor de atributo
Tags
IPB04, IPB0, IPB
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Step1: Vacuum Packaging with PL
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Step3: Packaging Boxes
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Packaging Boxes
***nell
MOSFET, N CH, 100A, 100V, PG-TO263-3; Transistor Polarity:N; Current Id Max:100A; Drain Source Voltage Vds:100V; On Resistance Rds(on):3.2mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Voltage Vgs Max:20V; Power Dissipation:300W; Operating Temperature Range:-55°C to +175°C; Transistor Case Style:TO263; No. of Pins:3; Transistor Type:Power MOSFET
Parte # Mfg. Descripción Valores Precio
IPB04CN10N G
DISTI # 726-IPB04CN10NG		Infineon Technologies AGMOSFET N-Ch 100V 100A D2PAK-2
RoHS: Compliant		0
    Imagen Parte # Descripción
    IPB04CN10N G

    Mfr.#: IPB04CN10N G

    OMO.#: OMO-IPB04CN10N-G-1190

    		 MOSFET N-Ch 100V 100A D2PAK-2
    IPB04CN10NG

    Mfr.#: IPB04CN10NG

    OMO.#: OMO-IPB04CN10NG-1190

    		 Nuevo y original
    Disponibilidad
    Valores:
    Available
    En orden:
    1000
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    El precio actual de IPB04CN10N G es solo de referencia, si desea obtener el mejor precio, envíe una consulta o envíe un correo electrónico directo a nuestro equipo de ventas [email protected]
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    0,00 US$
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