STD5N20LT4

Atributo del producto

Valor de atributo

Fabricante:

STMicroelectronics

Categoria de producto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnología:

Si

Estilo de montaje:

SMD / SMT

Paquete / Caja:

TO-252-3

Número de canales:

1 Channel

Polaridad del transistor:

Canal N

Vds - Voltaje de ruptura de drenaje-fuente:

200 V

Id - Corriente de drenaje continua:

5 A

Rds On - Resistencia de la fuente de drenaje:

700 mOhms

Vgs th - Voltaje umbral puerta-fuente:

1 V

Vgs - Voltaje puerta-fuente:

5 V

Qg - Carga de puerta:

5 nC

Temperatura mínima de funcionamiento:

- 55 C

Temperatura máxima de funcionamiento:

+ 150 C

Pd - Disipación de energía:

33 W

Configuración:

Único

Modo de canal:

Mejora

Nombre comercial:

STripFET

Embalaje:

Carrete

Altura:

2.4 mm

Longitud:

6.6 mm

Serie:

STD5N20L

Tipo de transistor:

1 N-Channel MOSFET

Escribe:

MOSFET

Ancho:

6.2 mm

Marca:

STMicroelectronics

Transconductancia directa - Mín .:

6.5 S

Otoño:

15.5 ns

Tipo de producto:

MOSFET

Hora de levantarse:

21.5 ns

Cantidad de paquete de fábrica:

2500

Subcategoría:

MOSFET

Tiempo de retardo de apagado típico:

14 ns

Tiempo típico de retardo de encendido:

11.5 ns

Unidad de peso:

0.139332 oz

Tags

STD5N20LT, STD5N20L, STD5N2, STD5N, STD5, STD