KSD2012YYDTU

Atributo del producto

Valor de atributo

Fabricante:

EN Semiconductor

Categoria de producto:

Transistores bipolares - BJT

RoHS:

E

Estilo de montaje:

A través del orificio

Paquete / Caja:

TO-220F-3

Polaridad del transistor:

NPN

Configuración:

Único

Voltaje colector-emisor VCEO Max:

60 V

Colector- Voltaje base VCBO:

60 V

Emisor- Voltaje base VEBO:

7 V

Voltaje de saturación colector-emisor:

0.4 V

Corriente máxima del colector de CC:

3 A

Producto de ganancia de ancho de banda fT:

3 MHz

Temperatura mínima de funcionamiento:

- 55 C

Temperatura máxima de funcionamiento:

+ 150 C

Ganancia de corriente CC hFE Max:

320

Altura:

9.19 mm

Longitud:

10.16 mm

Embalaje:

Tubo

Ancho:

4.7 mm

Marca:

ON Semiconductor / Fairchild

Corriente continua del colector:

3 A

Pd - Disipación de energía:

25 W

Tipo de producto:

BJT - Transistores bipolares

Cantidad de paquete de fábrica:

50

Subcategoría:

Transistores

Unidad de peso:

0.080072 oz

Tags

KSD2012Y, KSD201, KSD20, KSD2, KSD