2SCR586D3FRATL

Atributo del producto

Valor de atributo

Fabricante:

Semiconductor ROHM

Categoria de producto:

Transistores bipolares - BJT

RoHS:

Y

Estilo de montaje:

SMD / SMT

Paquete / Caja:

TO-252-3

Polaridad del transistor:

NPN

Configuración:

Único

Voltaje colector-emisor VCEO Max:

80 V

Colector- Voltaje base VCBO:

80 V

Emisor- Voltaje base VEBO:

6 V

Voltaje de saturación colector-emisor:

100 mV

Corriente máxima del colector de CC:

10 A

Producto de ganancia de ancho de banda fT:

200 MHz

Temperatura mínima de funcionamiento:

- 55 C

Temperatura máxima de funcionamiento:

+ 150 C

Ganancia de corriente CC hFE Max:

390

Embalaje:

Carrete

Marca:

Semiconductor ROHM

Corriente continua del colector:

5 A

Colector de CC / Ganancia base hfe Min:

120

Pd - Disipación de energía:

10 W

Tipo de producto:

BJT - Transistores bipolares

Cantidad de paquete de fábrica:

2500

Subcategoría:

Transistores

Tags

2SCR586D, 2SCR58, 2SCR5, 2SCR, 2SC