MBT6429DW1T1G

Atributo del producto

Valor de atributo

Fabricante:

EN Semiconductor

Categoria de producto:

Transistores bipolares - BJT

RoHS:

Y

Estilo de montaje:

SMD / SMT

Paquete / Caja:

SC-70-6

Polaridad del transistor:

NPN

Configuración:

Doble

Voltaje colector-emisor VCEO Max:

45 V

Colector- Voltaje base VCBO:

55 V

Emisor- Voltaje base VEBO:

6 V

Voltaje de saturación colector-emisor:

0.6 V

Corriente máxima del colector de CC:

0.2 A

Producto de ganancia de ancho de banda fT:

700 MHz

Temperatura mínima de funcionamiento:

- 55 C

Temperatura máxima de funcionamiento:

+ 150 C

Serie:

MBT6429DW1

Altura:

0.9 mm

Longitud:

2 mm

Embalaje:

Carrete

Ancho:

1.25 mm

Marca:

EN Semiconductor

Corriente continua del colector:

0.2 A

Colector de CC / Ganancia base hfe Min:

500

Pd - Disipación de energía:

150 mW

Tipo de producto:

BJT - Transistores bipolares

Cantidad de paquete de fábrica:

3000

Subcategoría:

Transistores

Unidad de peso:

0.000988 oz

Tags

MBT6429DW1, MBT6429, MBT64, MBT6, MBT