ZXTP2012ASTOA

Atributo del producto

Valor de atributo

Fabricante:

Diodos incorporados

Categoria de producto:

Transistores bipolares - BJT

RoHS:

Y

Estilo de montaje:

A través del orificio

Paquete / Caja:

E-Line-3

Polaridad del transistor:

PNP

Configuración:

Único

Voltaje colector-emisor VCEO Max:

60 V

Colector- Voltaje base VCBO:

100 V

Emisor- Voltaje base VEBO:

7 V

Corriente máxima del colector de CC:

3.5 A

Producto de ganancia de ancho de banda fT:

120 MHz

Temperatura mínima de funcionamiento:

- 55 C

Temperatura máxima de funcionamiento:

+ 150 C

Serie:

ZXTN20

Ganancia de corriente CC hFE Max:

100 at 10 mA, 1 V

Altura:

4.01 mm

Longitud:

4.77 mm

Ancho:

2.41 mm

Marca:

Diodos incorporados

Pd - Disipación de energía:

1000 mW

Tipo de producto:

BJT - Transistores bipolares

Cantidad de paquete de fábrica:

2000

Subcategoría:

Transistores

Tags

ZXTP2012A, ZXTP2012, ZXTP201, ZXTP20, ZXTP2, ZXTP, ZXT