RSU002P03T106

Atributo del producto

Valor de atributo

Fabricante:

Semiconductor ROHM

Categoria de producto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnología:

Si

Estilo de montaje:

SMD / SMT

Paquete / Caja:

SOT-323-3

Número de canales:

1 Channel

Polaridad del transistor:

P-Channel

Vds - Voltaje de ruptura de drenaje-fuente:

30 V

Id - Corriente de drenaje continua:

200 mA

Rds On - Resistencia de la fuente de drenaje:

1.6 Ohms

Vgs th - Voltaje umbral puerta-fuente:

2.5 V

Vgs - Voltaje puerta-fuente:

20 V

Temperatura máxima de funcionamiento:

+ 150 C

Pd - Disipación de energía:

200 mW

Configuración:

Único

Modo de canal:

Mejora

Embalaje:

Carrete

Altura:

0.8 mm

Longitud:

2 mm

Producto:

Pequeña señal MOSFET

Serie:

RSU002P03

Tipo de transistor:

1 P-Channel

Escribe:

MOSFET

Ancho:

1.25 mm

Marca:

Semiconductor ROHM

Transconductancia directa - Mín .:

0.2 S

Otoño:

5 ns

Tipo de producto:

MOSFET

Hora de levantarse:

5 ns

Cantidad de paquete de fábrica:

3000

Subcategoría:

MOSFET

Tiempo de retardo de apagado típico:

30 ns

Tiempo típico de retardo de encendido:

8 ns

Parte # Alias:

RSU002P03

Unidad de peso:

0.000176 oz

Tags

RSU002P03, RSU002P, RSU0, RSU