QH8MA2TCR

Atributo del producto

Valor de atributo

Fabricante:

Semiconductor ROHM

Categoria de producto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnología:

Si

Estilo de montaje:

SMD / SMT

Paquete / Caja:

TSMT-8

Número de canales:

2 Channel

Polaridad del transistor:

Canal N, canal P

Vds - Voltaje de ruptura de drenaje-fuente:

30 V

Id - Corriente de drenaje continua:

4.5 A, 3 A

Rds On - Resistencia de la fuente de drenaje:

25 mOhms, 55 mOhms

Vgs th - Voltaje umbral puerta-fuente:

1 V

Vgs - Voltaje puerta-fuente:

20 V

Qg - Carga de puerta:

8.4 nC, 7.8 nC

Temperatura mínima de funcionamiento:

-

Temperatura máxima de funcionamiento:

+ 150 C

Pd - Disipación de energía:

1.5 W

Configuración:

Doble

Modo de canal:

Mejora

Embalaje:

Carrete

Tipo de transistor:

1 N-Channel, 1 P-Channel

Marca:

Semiconductor ROHM

Transconductancia directa - Mín .:

1.4 S, 1.9 S

Otoño:

5.7 ns, 8.5 ns

Tipo de producto:

MOSFET

Hora de levantarse:

8 ns, 16.8 ns

Cantidad de paquete de fábrica:

3000

Subcategoría:

MOSFET

Tiempo de retardo de apagado típico:

12 ns, 27.6 ns

Tiempo típico de retardo de encendido:

7.2 ns, 7.9 ns

Parte # Alias:

QH8MA2

Tags

QH8MA2, QH8MA, QH8M, QH8