CGH55015F2

CGH55015F2
Mfr. #:
CGH55015F2
Fabricante:
N/A
Descripción:
RF JFET Transistors 4.5-6GHz 13Watt GaN Sm. Sig. Gain 12dB
Ciclo vital:
Nuevo de este fabricante.
Ficha de datos:
CGH55015F2 Ficha de datos
Entrega:
DHL FedEx Ups TNT EMS
Pago:
T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
ECAD Model:
Más información:
CGH55015F2 más información
Atributo del producto
Valor de atributo
Fabricante
Velocidad de lobo / Cree
categoria de producto
Transistores - FET, MOSFET - Sencillo
embalaje
Bandeja
Estilo de montaje
Tornillo
Rango de temperatura de funcionamiento
-
Paquete-Estuche
440166
Tecnología
GaN SiC
Configuración
Único
Tipo transistor
HEMT
Ganar
12 dB
Clase
-
Potencia de salida
10 W
Disipación de potencia Pd
-
Temperatura máxima de funcionamiento
+ 150 C
Temperatura mínima de funcionamiento
- 40 C
Solicitud
-
Frecuencia de operación
4.5 GHz to 6 GHz
Id-corriente-de-drenaje-continua
1.5 A
Vds-Drain-Source-Breakdown-Voltage
120 V
Vgs-th-Gate-Source-Threshold-Voltage
- 3 V
Resistencia a la fuente de desagüe de Rds
-
Polaridad del transistor
Canal N
Transconductancia directa-Mín.
-
Vgs-Gate-Source-Breakdown-Voltage
- 10 V to + 2 V
Tensión de corte de fuente de puerta
-
Voltaje de puerta de drenaje máximo
-
Figura de ruido NF
-
P1dB-Punto de compresión
-
Tags
CGH55015F2, CGH55015, CGH5501, CGH55, CGH5, CGH
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Step1: Vacuum Packaging with PL
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Anti-Static Bag
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Packaging Boxes
***i-Key
RF MOSFET HEMT 28V 440166
***hardson RFPD
RF POWER TRANSISTOR
GaN HEMTs
Cree GaN (Gallium Nitride) HEMTs (High Electron Mobility Transistors) offers greater power density and wider bandwidths compared to Si and GaAs transistors. GaN has superior properties compared to silicon or gallium arsenide, including higher breakdown voltage, higher saturated electron drift velocity, and higher thermal conductivity.
Parte # Mfg. Descripción Valores Precio
CGH55015F2
DISTI # CGH55015F2-ND
WolfspeedRF MOSFET HEMT 28V 440166
RoHS: Compliant
Min Qty: 1
Container: Tray
133In Stock
  • 1:$68.0200
CGH55015F2
DISTI # 941-CGH55015F2
Cree, Inc.RF JFET Transistors GaN HEMT 4.5-6.0GHz, 10 Watt
RoHS: Compliant
93
  • 1:$68.0200
  • 10:$64.3500
  • 25:$62.5200
  • 50:$61.6000
  • 100:$61.1400
CGH55015F2
DISTI # CGH55015F2
WolfspeedRF POWER TRANSISTOR
RoHS: Compliant
60
  • 1:$68.0200
Imagen Parte # Descripción
CGH55015F1

Mfr.#: CGH55015F1

OMO.#: OMO-CGH55015F1

RF JFET Transistors GaN HEMT 5.5-5.8GHz, 15 Watt
CGH55030F1

Mfr.#: CGH55030F1

OMO.#: OMO-CGH55030F1

RF JFET Transistors GaN HEMT 5.5-5.8GHz, 30 Watt
CGH55030F2

Mfr.#: CGH55030F2

OMO.#: OMO-CGH55030F2

RF JFET Transistors GaN HEMT 4.5-6.0GHz, 25 Watt
CGH55015F1/P1

Mfr.#: CGH55015F1/P1

OMO.#: OMO-CGH55015F1-P1-1190

Nuevo y original
CGH55015F2/P1

Mfr.#: CGH55015F2/P1

OMO.#: OMO-CGH55015F2-P1-1190

Nuevo y original
CGH55030F2/P1

Mfr.#: CGH55030F2/P1

OMO.#: OMO-CGH55030F2-P1-1190

Nuevo y original
CGH55030F2/P2

Mfr.#: CGH55030F2/P2

OMO.#: OMO-CGH55030F2-P2-1190

Nuevo y original
CGH5506194FLF

Mfr.#: CGH5506194FLF

OMO.#: OMO-CGH5506194FLF-1190

Thick Film Resistors - Through Hole
CGH55015F2

Mfr.#: CGH55015F2

OMO.#: OMO-CGH55015F2-WOLFSPEED

RF JFET Transistors 4.5-6GHz 13Watt GaN Sm. Sig. Gain 12dB
CGH55030F1

Mfr.#: CGH55030F1

OMO.#: OMO-CGH55030F1-WOLFSPEED

RF MOSFET HEMT 28V 440166
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Valores:
Available
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91,71 US$
91,71 US$
10
87,12 US$
871,25 US$
100
82,54 US$
8 253,90 US$
500
77,95 US$
38 976,75 US$
1000
73,37 US$
73 368,00 US$
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