NTD20P06LT4G

Atributo del producto

Valor de atributo

Fabricante:

EN Semiconductor

Categoria de producto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnología:

Si

Estilo de montaje:

SMD / SMT

Paquete / Caja:

TO-252-4

Número de canales:

1 Channel

Polaridad del transistor:

P-Channel

Vds - Voltaje de ruptura de drenaje-fuente:

60 V

Id - Corriente de drenaje continua:

15.5 A

Rds On - Resistencia de la fuente de drenaje:

143 mOhms

Vgs th - Voltaje umbral puerta-fuente:

1 V

Vgs - Voltaje puerta-fuente:

5 V

Qg - Carga de puerta:

15 nC

Temperatura mínima de funcionamiento:

- 55 C

Temperatura máxima de funcionamiento:

+ 175 C

Pd - Disipación de energía:

65 W

Configuración:

Único

Modo de canal:

Mejora

Embalaje:

Carrete

Altura:

2.38 mm

Longitud:

6.73 mm

Serie:

NTD20P06L

Tipo de transistor:

1 P-Channel

Escribe:

MOSFET

Ancho:

6.22 mm

Marca:

EN Semiconductor

Transconductancia directa - Mín .:

11 S

Otoño:

70 ns

Tipo de producto:

MOSFET

Hora de levantarse:

90 ns

Cantidad de paquete de fábrica:

2500

Subcategoría:

MOSFET

Tiempo de retardo de apagado típico:

28 ns

Tiempo típico de retardo de encendido:

11 ns

Unidad de peso:

0.139332 oz

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