IRF9952QTRPBF

Atributo del producto

Valor de atributo

Fabricante:

Infineon

Categoria de producto:

MOSFET

Tecnología:

Si

Estilo de montaje:

SMD / SMT

Paquete / Caja:

SO-8

Número de canales:

2 Channel

Polaridad del transistor:

Canal N, canal P

Vds - Voltaje de ruptura de drenaje-fuente:

30 V

Id - Corriente de drenaje continua:

3.5 A

Rds On - Resistencia de la fuente de drenaje:

150 mOhms

Vgs - Voltaje puerta-fuente:

20 V

Qg - Carga de puerta:

6.9 nC

Pd - Disipación de energía:

2 W

Configuración:

Doble

Altura:

1.75 mm

Longitud:

4.9 mm

Tipo de transistor:

1 N-Channel, 1 P-Channel

Ancho:

3.9 mm

Marca:

Infineon / IR

Tipo de producto:

MOSFET

Subcategoría:

MOSFET

Unidad de peso:

0.019048 oz

Tags

IRF9952Q, IRF9952, IRF995, IRF99, IRF9, IRF