MJD200T4

Atributo del producto

Valor de atributo

Fabricante:

EN Semiconductor

Categoria de producto:

Transistores bipolares - BJT

RoHS:

N

Estilo de montaje:

SMD / SMT

Paquete / Caja:

TO-252-3

Polaridad del transistor:

NPN

Configuración:

Único

Voltaje colector-emisor VCEO Max:

25 V

Colector- Voltaje base VCBO:

40 V

Emisor- Voltaje base VEBO:

8 V

Voltaje de saturación colector-emisor:

1.8 V

Corriente máxima del colector de CC:

5 A

Producto de ganancia de ancho de banda fT:

65 MHz

Temperatura mínima de funcionamiento:

- 65 C

Temperatura máxima de funcionamiento:

+ 150 C

Altura:

2.38 mm

Longitud:

6.73 mm

Embalaje:

Carrete

Ancho:

6.22 mm

Marca:

EN Semiconductor

Corriente continua del colector:

5 A

Colector de CC / Ganancia base hfe Min:

70

Pd - Disipación de energía:

12.5 W

Tipo de producto:

BJT - Transistores bipolares

Cantidad de paquete de fábrica:

2500

Subcategoría:

Transistores

Tags

MJD200T4, MJD200T, MJD200, MJD20, MJD2, MJD