RW1A030APT2CR

Atributo del producto

Valor de atributo

Fabricante:

Semiconductor ROHM

Categoria de producto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnología:

Si

Estilo de montaje:

SMD / SMT

Paquete / Caja:

SOT-563T-6

Número de canales:

1 Channel

Polaridad del transistor:

P-Channel

Vds - Voltaje de ruptura de drenaje-fuente:

12 V

Id - Corriente de drenaje continua:

3 A

Rds On - Resistencia de la fuente de drenaje:

30 mOhms

Vgs - Voltaje puerta-fuente:

8 V

Qg - Carga de puerta:

22 nC

Temperatura mínima de funcionamiento:

- 55 C

Temperatura máxima de funcionamiento:

+ 150 C

Pd - Disipación de energía:

700 mW

Configuración:

Único

Modo de canal:

Mejora

Embalaje:

Carrete

Serie:

RW1A030AP

Tipo de transistor:

1 P-Channel

Marca:

Semiconductor ROHM

Transconductancia directa - Mín .:

3.8 S

Otoño:

75 ns

Tipo de producto:

MOSFET

Hora de levantarse:

30 ns

Cantidad de paquete de fábrica:

8000

Subcategoría:

MOSFET

Tiempo de retardo de apagado típico:

240 ns

Tiempo típico de retardo de encendido:

10 ns

Parte # Alias:

RW1A030AP

Unidad de peso:

0.000106 oz

Tags

RW1A030APT, RW1A03, RW1A0, RW1A, RW1