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SIR808DP-T1-GE3

SIR808DP-T1-GE3
Mfr. #:
SIR808DP-T1-GE3
Fabricante:
Vishay
Descripción:
RF Bipolar Transistors MOSFET 25 Volts 20 Amps 29.8 Watts
Ciclo vital:
Nuevo de este fabricante.
Ficha de datos:
SIR808DP-T1-GE3 Ficha de datos
Entrega:
DHL FedEx Ups TNT EMS
Pago:
T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
ECAD Model:
Atributo del producto
Valor de atributo
Fabricante
VISHAY
categoria de producto
Chips de IC
Serie
SIRxxxDP
embalaje
Carrete
Alias ​​de parte
SIR808DP-GE3
Unidad de peso
0.017870 oz
Estilo de montaje
SMD / SMT
Paquete-Estuche
SO-8
Tecnología
Si
Número de canales
1 Channel
Configuración
Único
Tipo transistor
1 N-Channel
Disipación de potencia Pd
29.8 W
Otoño
7 ns
Hora de levantarse
10 ns
Vgs-Puerta-Fuente-Voltaje
20 V
Id-corriente-de-drenaje-continua
20 A
Vds-Drain-Source-Breakdown-Voltage
25 V
Resistencia a la fuente de desagüe de Rds
7.4 mOhms
Polaridad del transistor
Canal N
Tiempo de retardo de apagado típico
14 ns
Tiempo de retardo de encendido típico
5 ns
Qg-Gate-Charge
15.2 nC
Transconductancia directa-Mín.
36 S
Tags
SIR808, SIR80, SIR8, SIR
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Step1: Vacuum Packaging with PL
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Vacuum Packaging with PL
Step2: Anti-Static Bag
Step2:
Anti-Static Bag
Step3: Packaging Boxes
Step3:
Packaging Boxes
***ark
MOSFET, N CH, DIO, 25V, 20A, PPK SO8; Transistor Polarity:N Channel; Continuous
***et
N-CH POWERPAK SO-8 BWL 25V 7.4 MOHM@10V
***nell
MOSFET, N CH, DIO, 25V, 20A, PPK SO8; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:20A; Drain Source Voltage Vds:25V; On Resistance Rds(on):0.0074ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Power Dissipation Pd:29.8W; Operating Temperature Min:-55°C; Operating Temperature Max:150°C; Transistor Case Style:SOIC; No. of Pins:8; MSL:MSL 1 - Unlimited; Operating Temperature Range:-55°C to +150°C
Parte # Mfg. Descripción Valores Precio
SIR808DP-T1-GE3
DISTI # SIR808DP-T1-GE3-ND		Vishay SiliconixMOSFET N-CH 25V 20A POWERPAK
RoHS: Compliant
Min Qty: 3000
Container: Tape & Reel (TR)		Limited Supply - Call
    SIR808DP-T1-GE3
    DISTI # 78-SIR808DP-T1-GE3    		Vishay IntertechnologiesMOSFET 25 Volts 20 Amps 29.8 Watts
    RoHS: Compliant    		0
      Imagen Parte # Descripción
      SIR808DP-T1-GE3

      Mfr.#: SIR808DP-T1-GE3

      OMO.#: OMO-SIR808DP-T1-GE3

      		 MOSFET RECOMMENDED ALT 78-SIRA18ADP-T1-GE3
      SIR808DP-T1-GE3

      Mfr.#: SIR808DP-T1-GE3

      OMO.#: OMO-SIR808DP-T1-GE3-VISHAY

      		 RF Bipolar Transistors MOSFET 25 Volts 20 Amps 29.8 Watts
      SIR808DP

      Mfr.#: SIR808DP

      OMO.#: OMO-SIR808DP-1190

      		 Nuevo y original
      SIR808DP-T1-E3

      Mfr.#: SIR808DP-T1-E3

      OMO.#: OMO-SIR808DP-T1-E3-1190

      		 Nuevo y original
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      Available
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      0,00 US$
      100
      0,00 US$
      0,00 US$
      500
      0,00 US$
      0,00 US$
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