SI5980DU-T1-GE3

SI5980DU-T1-GE3
Mfr. #:
SI5980DU-T1-GE3
Fabricante:
Vishay
Descripción:
IGBT Transistors MOSFET 100V 2.5A 7.8W .567Ohms @ 10V
Ciclo vital:
Nuevo de este fabricante.
Ficha de datos:
SI5980DU-T1-GE3 Ficha de datos
Entrega:
DHL FedEx Ups TNT EMS
Pago:
T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
ECAD Model:
Atributo del producto
Valor de atributo
Fabricante
Vishay Siliconix
categoria de producto
FET: matrices
Serie
TrincheraFETR
embalaje
Digi-ReelR
Alias ​​de parte
SI5980DU-GE3
Unidad de peso
0.002998 oz
Estilo de montaje
SMD / SMT
Paquete-Estuche
PowerPAKR ChipFET Dual
Tecnología
Si
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Montaje superficial
Número de canales
2 Channel
Paquete de dispositivo de proveedor
PowerPAKR ChipFet Dual
Configuración
Doble
Tipo FET
2 N-Channel (Dual)
Potencia máxima
7.8W
Tipo transistor
2 N-Channel
Drenaje-a-fuente-voltaje-Vdss
100V
Entrada-Capacitancia-Ciss-Vds
78pF @ 50V
Función FET
Estándar
Corriente-Continuo-Drenaje-Id-25 ° C
2.5A
Rds-On-Max-Id-Vgs
567 mOhm @ 400mA, 10V
Vgs-th-Max-Id
4V @ 250μA
Puerta-Carga-Qg-Vgs
3.3nC @ 10V
Disipación de potencia Pd
7.8 W
Temperatura máxima de funcionamiento
+ 150 C
Vgs-Puerta-Fuente-Voltaje
20 V
Id-corriente-de-drenaje-continua
2.5 A
Vds-Drain-Source-Breakdown-Voltage
100 V
Resistencia a la fuente de desagüe de Rds
567 mOhms
Polaridad del transistor
Canal N
Tags
SI59, SI5
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Step1: Vacuum Packaging with PL
Step1:
Vacuum Packaging with PL
Step2: Anti-Static Bag
Step2:
Anti-Static Bag
Step3: Packaging Boxes
Step3:
Packaging Boxes
***et
Trans MOSFET N-CH 100V 1.3A 8-Pin PowerPAK ChipFET T/R
***ark
DUAL N-CHANNEL 100-V (D-S) MOSFET
***i-Key
MOSFET 2N-CH 100V 2.5A CHIPFET
***
DUAL N-CHANNEL 100-V (D-S)
Parte # Mfg. Descripción Valores Precio
SI5980DU-T1-GE3
DISTI # SI5980DU-T1-GE3CT-ND
Vishay SiliconixMOSFET 2N-CH 100V 2.5A CHIPFET
RoHS: Compliant
Min Qty: 1
Container: Cut Tape (CT)
Limited Supply - Call
    SI5980DU-T1-GE3
    DISTI # SI5980DU-T1-GE3DKR-ND
    Vishay SiliconixMOSFET 2N-CH 100V 2.5A CHIPFET
    RoHS: Compliant
    Min Qty: 1
    Container: Digi-Reel®
    Limited Supply - Call
      SI5980DU-T1-GE3
      DISTI # 78-SI5980DU-T1-GE3
      Vishay IntertechnologiesMOSFET 100V 2.5A 7.8W .567Ohms @ 10V
      RoHS: Compliant
      0
        SI5980DU-T1-GE3Vishay Intertechnologies 909
          Imagen Parte # Descripción
          SI5980DU-T1-GE3

          Mfr.#: SI5980DU-T1-GE3

          OMO.#: OMO-SI5980DU-T1-GE3

          MOSFET RECOMMENDED ALT 78-SIS990DN-T1-GE3
          SI5980DU-T1-GE3

          Mfr.#: SI5980DU-T1-GE3

          OMO.#: OMO-SI5980DU-T1-GE3-VISHAY

          IGBT Transistors MOSFET 100V 2.5A 7.8W .567Ohms @ 10V
          Disponibilidad
          Valores:
          Available
          En orden:
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          0,00 US$
          10
          0,00 US$
          0,00 US$
          100
          0,00 US$
          0,00 US$
          500
          0,00 US$
          0,00 US$
          1000
          0,00 US$
          0,00 US$
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