CGH55030F2

CGH55030F2
Mfr. #:
CGH55030F2
Fabricante:
N/A
Descripción:
RF MOSFET HEMT 28V 440166
Ciclo vital:
Nuevo de este fabricante.
Ficha de datos:
CGH55030F2 Ficha de datos
Entrega:
DHL FedEx Ups TNT EMS
Pago:
T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
ECAD Model:
Más información:
CGH55030F2 más información
Atributo del producto
Valor de atributo
Fabricante
Velocidad de lobo / Cree
categoria de producto
Transistores - FET, MOSFET - Sencillo
embalaje
Bandeja
Estilo de montaje
Tornillo
Rango de temperatura de funcionamiento
-
Paquete-Estuche
440166
Tecnología
GaN SiC
Configuración
Único
Tipo transistor
HEMT
Ganar
12 dB
Clase
-
Potencia de salida
25 W
Disipación de potencia Pd
-
Temperatura máxima de funcionamiento
+ 150 C
Temperatura mínima de funcionamiento
- 40 C
Solicitud
-
Frecuencia de operación
4.5 GHz to 6 GHz
Id-corriente-de-drenaje-continua
3 A
Vds-Drain-Source-Breakdown-Voltage
120 V
Vgs-th-Gate-Source-Threshold-Voltage
- 3 V
Resistencia a la fuente de desagüe de Rds
-
Polaridad del transistor
Canal N
Transconductancia directa-Mín.
-
Vgs-Gate-Source-Breakdown-Voltage
- 10 V to + 2 V
Tensión de corte de fuente de puerta
-
Voltaje de puerta de drenaje máximo
-
Figura de ruido NF
-
P1dB-Punto de compresión
-
Tags
CGH55030F2, CGH55030F, CGH5503, CGH55, CGH5, CGH
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Step1: Vacuum Packaging with PL
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Vacuum Packaging with PL
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Anti-Static Bag
Step3: Packaging Boxes
Step3:
Packaging Boxes
***i-Key
RF MOSFET HEMT 28V 440166
***hardson RFPD
RF POWER TRANSISTOR
GaN HEMTs
Cree GaN (Gallium Nitride) HEMTs (High Electron Mobility Transistors) offers greater power density and wider bandwidths compared to Si and GaAs transistors. GaN has superior properties compared to silicon or gallium arsenide, including higher breakdown voltage, higher saturated electron drift velocity, and higher thermal conductivity.
Parte # Mfg. Descripción Valores Precio
CGH55030F2
DISTI # CGH55030F2-ND
WolfspeedRF MOSFET HEMT 28V 440166
RoHS: Compliant
Min Qty: 1
Container: Tray
194In Stock
  • 1:$117.3000
CGH55030F2
DISTI # 941-CGH55030F2
Cree, Inc.RF JFET Transistors GaN HEMT 4.5-6.0GHz, 25 Watt
RoHS: Compliant
69
  • 1:$114.4400
CGH55030F2
DISTI # CGH55030F2
WolfspeedRF POWER TRANSISTOR
RoHS: Compliant
38
  • 1:$121.8700
Imagen Parte # Descripción
CGH55030F1

Mfr.#: CGH55030F1

OMO.#: OMO-CGH55030F1

RF JFET Transistors GaN HEMT 5.5-5.8GHz, 30 Watt
CGH55015F

Mfr.#: CGH55015F

OMO.#: OMO-CGH55015F-1190

Nuevo y original
CGH55015F 4.9-5.8G 15W

Mfr.#: CGH55015F 4.9-5.8G 15W

OMO.#: OMO-CGH55015F-4-9-5-8G-15W-1190

Nuevo y original
CGH55030F-TB

Mfr.#: CGH55030F-TB

OMO.#: OMO-CGH55030F-TB-WOLFSPEED

RF EVAL HEMT AMPLIFIER
CGH55030F2/P1

Mfr.#: CGH55030F2/P1

OMO.#: OMO-CGH55030F2-P1-1190

Nuevo y original
CGH5502264FLF

Mfr.#: CGH5502264FLF

OMO.#: OMO-CGH5502264FLF-1190

Thick Film Resistors - Through Hole
CGH5506194FLF

Mfr.#: CGH5506194FLF

OMO.#: OMO-CGH5506194FLF-1190

Thick Film Resistors - Through Hole
CGH55015F1

Mfr.#: CGH55015F1

OMO.#: OMO-CGH55015F1-WOLFSPEED

RF MOSFET HEMT 28V 440196
CGH5505116FLF

Mfr.#: CGH5505116FLF

OMO.#: OMO-CGH5505116FLF-1190

Thick Film Resistors - Through Hole
CGH5506194DLF

Mfr.#: CGH5506194DLF

OMO.#: OMO-CGH5506194DLF-1190

Thick Film Resistors - Through Hole
Disponibilidad
Valores:
Available
En orden:
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Cantidad
Precio unitario
Ext. Precio
1
171,66 US$
171,66 US$
10
163,08 US$
1 630,77 US$
100
154,49 US$
15 449,40 US$
500
145,91 US$
72 955,50 US$
1000
137,33 US$
137 328,00 US$
Debido a la escasez de semiconductores a partir de 2021, el precio inferior es el precio normal antes de 2021. Envíe una consulta para confirmar.
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