IPLU300N04S4R8XTMA1

Atributo del producto

Valor de atributo

Fabricante:

Infineon

Categoria de producto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnología:

Si

Estilo de montaje:

SMD / SMT

Paquete / Caja:

H-PSOF-8

Número de canales:

1 Channel

Polaridad del transistor:

Canal N

Vds - Voltaje de ruptura de drenaje-fuente:

40 V

Id - Corriente de drenaje continua:

300 A

Rds On - Resistencia de la fuente de drenaje:

770 uOhms

Vgs th - Voltaje umbral puerta-fuente:

2 V

Vgs - Voltaje puerta-fuente:

10 V

Qg - Carga de puerta:

221 nC

Temperatura mínima de funcionamiento:

- 55 C

Temperatura máxima de funcionamiento:

+ 175 C

Pd - Disipación de energía:

429 W

Configuración:

Único

Modo de canal:

Mejora

Calificación:

AEC-Q101

Embalaje:

Carrete

Altura:

2.4 mm

Longitud:

10.58 mm

Tipo de transistor:

1 N-Channel

Ancho:

10.1 mm

Marca:

Infineon Technologies

Otoño:

61 ns

Tipo de producto:

MOSFET

Hora de levantarse:

22 ns

Cantidad de paquete de fábrica:

2000

Subcategoría:

MOSFET

Tiempo de retardo de apagado típico:

68 ns

Tiempo típico de retardo de encendido:

50 ns

Parte # Alias:

IPLU300N04S4-R8 SP001063102

Tags

IPLU300N04S4R, IPLU3, IPLU, IPL