MRF8372LF

Atributo del producto

Valor de atributo

Fabricante:

Advanced Semiconductor, Inc.

Categoria de producto:

Transistores bipolares de RF

RoHS:

Y

Tipo de transistor:

Poder bipolar

Tecnología:

Si

Polaridad del transistor:

NPN

Colector de CC / Ganancia base hfe Min:

30

Voltaje colector-emisor VCEO Max:

16 V

Emisor- Voltaje base VEBO:

3 V

Corriente continua del colector:

200 mA

Temperatura mínima de funcionamiento:

- 65 C

Temperatura máxima de funcionamiento:

+ 200 C

Estilo de montaje:

SMD / SMT

Paquete / Caja:

SOIC-8

Embalaje:

Bandeja

Frecuencia de operación:

800 MHz

Escribe:

Potencia bipolar RF

Marca:

Advanced Semiconductor, Inc.

Pd - Disipación de energía:

2.2 W

Tipo de producto:

Transistores bipolares de RF

Cantidad de paquete de fábrica:

1

Subcategoría:

Transistores

Unidad de peso:

0.019048 oz

Tags

MRF8372L, MRF8372, MRF837, MRF83, MRF8, MRF