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BSM100GB120DN2K

BSM100GB120DN2K
Mfr. #:
BSM100GB120DN2K
Fabricante:
Infineon Technologies
Descripción:
IGBT Modules 1200V 100A DUAL
Ciclo vital:
Nuevo de este fabricante.
Ficha de datos:
BSM100GB120DN2K Ficha de datos
Entrega:
DHL FedEx Ups TNT EMS
Pago:
T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
ECAD Model:
Atributo del producto
Valor de atributo
Fabricante:
Infineon
Categoria de producto:
Módulos IGBT
RoHS:
N
Producto:
Módulos de silicio IGBT
Configuración:
Medio puente
Voltaje colector-emisor VCEO Max:
1200 V
Voltaje de saturación colector-emisor:
2.5 V
Corriente continua del colector a 25 C:
145 A
Corriente de fuga puerta-emisor:
400 nA
Pd - Disipación de energía:
700 W
Paquete / Caja:
Half Bridge1
Temperatura mínima de funcionamiento:
- 40 C
Temperatura máxima de funcionamiento:
+ 150 C
Embalaje:
Bandeja
Altura:
30.5 mm
Longitud:
94 mm
Ancho:
34 mm
Marca:
Infineon Technologies
Estilo de montaje:
Montaje en chasis
Voltaje máximo del emisor de puerta:
20 V
Tipo de producto:
Módulos IGBT
Cantidad de paquete de fábrica:
10
Subcategoría:
IGBT
Parte # Alias:
BSM100GB120DN2KHOSA1 SP000101733
Tags
BSM100GB120DN2K, BSM100GB120DN, BSM100GB120, BSM100GB12, BSM100GB1, BSM100GB, BSM100G, BSM100, BSM10, BSM1, BSM
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Email us if you have excess stock to sell.

Email: [email protected]

Step1: Vacuum Packaging with PL
Step1:
Vacuum Packaging with PL
Step2: Anti-Static Bag
Step2:
Anti-Static Bag
Step3: Packaging Boxes
Step3:
Packaging Boxes
***omponent
Eupec Infineon power module
Parte # Mfg. Descripción Valores Precio
BSM100GB120DN2KHOSA1
DISTI # C1S322000658480		Infineon Technologies AGIGBT Chip3
  • 1:$156.0000
BSM100GB120DN2KHOSA1
DISTI # BSM100GB120DN2KHOSA1-ND		Infineon Technologies AGIGBT 2 MED POWER 34MM-1
RoHS: Compliant
Min Qty: 10
Container: Tray		Limited Supply - Call
  • 10:$101.4820
BSM100GB120DN2K
DISTI # BSM100GB120DN2K		Infineon Technologies AGTrans IGBT Module N-CH 1.2kV 100A nom 700W 7-Pin 94x34mm (Alt: BSM100GB120DN2K)
RoHS: Compliant
Min Qty: 10		Asia - 0
  • 10:$93.9257
  • 20:$90.0657
  • 30:$88.8487
  • 50:$85.3870
  • 100:$84.2923
  • 250:$82.1850
  • 500:$80.1805
BSM100GB120DN2KHOSA1
DISTI # BSM100GB120DN2KHOSA1		Infineon Technologies AGTrans IGBT Module N-CH 1.2kV 100A nom 700W 7-Pin 94x34mm - Trays (Alt: BSM100GB120DN2KHOSA1)
RoHS: Compliant
Min Qty: 10
Container: Tray		Americas - 0
  • 10:$94.6900
  • 20:$91.2900
  • 40:$87.9900
  • 60:$84.9900
  • 100:$83.4900
BSM100GB120DN2KInfineon Technologies AGInsulated Gate Bipolar Transistor, 145A I(C), 1200V V(BR)CES
RoHS: Compliant		1
  • 1000:$79.3700
  • 500:$83.5500
  • 100:$86.9800
  • 25:$90.7100
  • 1:$97.6800
BSM100GB120DN2K
DISTI # 641-BSM100GB120DN2K		Infineon Technologies AGIGBT Modules 1200V 100A DUAL
RoHS: Not compliant		0
    Imagen Parte # Descripción
    T3400-004

    Mfr.#: T3400-004

    OMO.#: OMO-T3400-004-706

    		 Circular DIN Connectors MALE CABLE CONNECTOR 6 WAY
    Disponibilidad
    Valores:
    Available
    En orden:
    1985
    Ingrese la cantidad:
    El precio actual de BSM100GB120DN2K es solo de referencia, si desea obtener el mejor precio, envíe una consulta o envíe un correo electrónico directo a nuestro equipo de ventas [email protected]
    Precio de referencia (USD)
    Cantidad
    Precio unitario
    Ext. Precio
    1
    105,20 US$
    105,20 US$
    5
    103,27 US$
    516,35 US$
    10
    98,62 US$
    986,20 US$
    25
    95,33 US$
    2 383,25 US$
    100
    88,77 US$
    8 877,00 US$
    Debido a la escasez de semiconductores a partir de 2021, el precio inferior es el precio normal antes de 2021. Envíe una consulta para confirmar.
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