SI4914BDY-T1-E3

Atributo del producto

Valor de atributo

Fabricante

Vishay Siliconix

categoria de producto

FET: matrices

Serie

PEQUEÑO PIE

embalaje

Tape & Reel (TR)

Alias ​​de parte

SI4914BDY-E3

Unidad de peso

0.017870 oz

Estilo de montaje

SMD / SMT

Paquete-Estuche

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Tecnología

Si

Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo de montaje

Montaje superficial

Número de canales

2 Channel

Paquete de dispositivo de proveedor

8-SO

Configuración

Dual con diodo Schottky

Tipo FET

2 N-Channel (Half Bridge)

Potencia máxima

2.7W, 3.1W

Tipo transistor

2 N-Channel

Drenaje-a-fuente-voltaje-Vdss

30V

Entrada-Capacitancia-Ciss-Vds

-

Función FET

Estándar

Corriente-Continuo-Drenaje-Id-25 ° C

8.4A, 8A

Rds-On-Max-Id-Vgs

21 mOhm @ 8A, 10V

Vgs-th-Max-Id

2.7V @ 250μA

Puerta-Carga-Qg-Vgs

10.5nC @ 4.5V

Disipación de potencia Pd

1.7 W 2 W

Temperatura máxima de funcionamiento

+ 150 C

Temperatura mínima de funcionamiento

- 55 C

Otoño

10 ns 9 ns

Hora de levantarse

10 ns 9 ns

Vgs-Puerta-Fuente-Voltaje

20 V

Id-corriente-de-drenaje-continua

6.7 A

Vds-Drain-Source-Breakdown-Voltage

30 V

Resistencia a la fuente de desagüe de Rds

23 mOhms

Polaridad del transistor

Canal N

Tiempo de retardo de apagado típico

16 ns

Tiempo de retardo de encendido típico

9 ns 10 ns

Modo de canal

Mejora

Tags

SI4914BDY-T1, SI4914BDY-T, SI4914BD, SI4914B, SI4914, SI491, SI49, SI4