IXTH80N20L

Atributo del producto

Valor de atributo

Fabricante:

IXYS

Categoria de producto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnología:

Si

Estilo de montaje:

A través del orificio

Paquete / Caja:

TO-247-3

Polaridad del transistor:

Canal N

Vds - Voltaje de ruptura de drenaje-fuente:

200 V

Id - Corriente de drenaje continua:

80 A

Rds On - Resistencia de la fuente de drenaje:

32 mOhms

Vgs - Voltaje puerta-fuente:

20 V

Qg - Carga de puerta:

180 nC

Temperatura mínima de funcionamiento:

- 55 C

Temperatura máxima de funcionamiento:

+ 150 C

Pd - Disipación de energía:

520 W

Modo de canal:

Mejora

Embalaje:

Tubo

Serie:

IXTH80N20

Marca:

IXYS

Transconductancia directa - Mín .:

30 S

Otoño:

29 ns

Tipo de producto:

MOSFET

Hora de levantarse:

44 ns

Cantidad de paquete de fábrica:

30

Subcategoría:

MOSFET

Tiempo de retardo de apagado típico:

72 ns

Tiempo típico de retardo de encendido:

29 ns

Unidad de peso:

0.056438 oz

Tags

IXTH80, IXTH8, IXTH, IXT