MRFX1K80GNR5

Atributo del producto

Valor de atributo

Fabricante:

NXP

Categoria de producto:

Transistores RF MOSFET

RoHS:

Y

Polaridad del transistor:

Canal N dual

Tecnología:

Si

Id - Corriente de drenaje continua:

43 A

Vds - Voltaje de ruptura de drenaje-fuente:

- 500 mV, 179 V

Ganar:

24.4 dB

Potencia de salida:

1.8 kW

Temperatura mínima de funcionamiento:

- 40 C

Temperatura máxima de funcionamiento:

+ 150 C

Estilo de montaje:

SMD / SMT

Paquete / Caja:

OM-1230G-4L

Embalaje:

Carrete

Frecuencia de operación:

1.8 MHz to 400 MHz

Serie:

MRFX1K80

Escribe:

RF Power MOSFET

Marca:

Semiconductores NXP

Transconductancia directa - Mín .:

44.7 S

Número de canales:

2 Channel

Sensible a la humedad:

Yes

Pd - Disipación de energía:

3333 W

Tipo de producto:

Transistores RF MOSFET

Cantidad de paquete de fábrica:

50

Subcategoría:

MOSFET

Vgs - Voltaje puerta-fuente:

- 6 V, 10 V

Vgs th - Voltaje umbral puerta-fuente:

2.1 V

Parte # Alias:

935362677578

Tags

MRFX1, MRFX, MRF