IRF6665TR1PBF

Atributo del producto

Valor de atributo

Fabricante:

Infineon

Categoria de producto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnología:

Si

Estilo de montaje:

SMD / SMT

Paquete / Caja:

DirectFET-SH

Número de canales:

1 Channel

Polaridad del transistor:

Canal N

Vds - Voltaje de ruptura de drenaje-fuente:

100 V

Id - Corriente de drenaje continua:

4.2 A

Rds On - Resistencia de la fuente de drenaje:

62 mOhms

Vgs th - Voltaje umbral puerta-fuente:

5 V

Vgs - Voltaje puerta-fuente:

20 V

Qg - Carga de puerta:

8.7 nC

Temperatura máxima de funcionamiento:

+ 150 C

Pd - Disipación de energía:

42 W

Configuración:

Único

Embalaje:

Carrete

Altura:

0.7 mm

Longitud:

4.85 mm

Tipo de transistor:

1 N-Channel

Ancho:

3.95 mm

Marca:

Infineon / IR

Transconductancia directa - Mín .:

6.6 S

Otoño:

4.3 ns

Sensible a la humedad:

Yes

Tipo de producto:

MOSFET

Hora de levantarse:

2.8 ns

Cantidad de paquete de fábrica:

1000

Subcategoría:

MOSFET

Parte # Alias:

SP001564530

Unidad de peso:

0.017637 oz

Tags

IRF6665T, IRF6665, IRF666, IRF66, IRF6, IRF