IPC100N04S5L2R6ATMA1

Atributo del producto

Valor de atributo

Fabricante:

Infineon

Categoria de producto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnología:

Si

Estilo de montaje:

SMD / SMT

Paquete / Caja:

TDSON-8

Número de canales:

1 Channel

Polaridad del transistor:

Canal N

Vds - Voltaje de ruptura de drenaje-fuente:

40 V

Id - Corriente de drenaje continua:

100 A

Rds On - Resistencia de la fuente de drenaje:

2 mOhms

Vgs th - Voltaje umbral puerta-fuente:

1.2 V

Vgs - Voltaje puerta-fuente:

16 V

Qg - Carga de puerta:

55 nC

Temperatura mínima de funcionamiento:

- 55 C

Temperatura máxima de funcionamiento:

+ 175 C

Pd - Disipación de energía:

75 W

Configuración:

Único

Modo de canal:

Mejora

Calificación:

AEC-Q101

Nombre comercial:

OptiMOS

Embalaje:

Carrete

Serie:

Canal N

Tipo de transistor:

1 N-Channel

Marca:

Infineon Technologies

Otoño:

10 ns

Tipo de producto:

MOSFET

Hora de levantarse:

3 ns

Cantidad de paquete de fábrica:

5000

Subcategoría:

MOSFET

Tiempo de retardo de apagado típico:

20 ns

Tiempo típico de retardo de encendido:

4 ns

Parte # Alias:

IPC100N04S5L-2R6 SP001418106

Tags

IPC100N04S5L, IPC100N04S5, IPC100N, IPC100, IPC10, IPC1, IPC