APT10M11JVRU3

Atributo del producto

Valor de atributo

Fabricante:

Pastilla

Categoria de producto:

Módulos de semiconductores discretos

RoHS:

Y

Producto:

Módulos MOSFET de potencia

Vgs - Voltaje puerta-fuente:

30 V

Estilo de montaje:

Montaje con tornillo

Paquete / Caja:

SOT-227-4

Temperatura mínima de funcionamiento:

- 55 C

Temperatura máxima de funcionamiento:

+ 150 C

Embalaje:

Tubo

Configuración:

Único

Altura:

9.6 mm

Longitud:

38.2 mm

Ancho:

25.4 mm

Marca:

Microchip / Microsemi

Número de canales:

1 Channel

Polaridad del transistor:

Canal N

Otoño:

9 ns

Id - Corriente de drenaje continua:

142 A

Pd - Disipación de energía:

450 W

Tipo de producto:

Módulos de semiconductores discretos

Rds On - Resistencia de la fuente de drenaje:

11 mOhms

Hora de levantarse:

48 ns

Cantidad de paquete de fábrica:

1

Subcategoría:

Módulos de semiconductores discretos

Nombre comercial:

POTENCIA MOS V, ISOTOP

Tiempo de retardo de apagado típico:

51 ns

Tiempo típico de retardo de encendido:

16 ns

Vds - Voltaje de ruptura de drenaje-fuente:

100 V

Vgs th - Voltaje umbral puerta-fuente:

2 V

Unidad de peso:

1.058219 oz

Tags

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