FDP12N50

Atributo del producto

Valor de atributo

Fabricante:

EN Semiconductor

Categoria de producto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnología:

Si

Estilo de montaje:

A través del orificio

Paquete / Caja:

TO-220-3

Número de canales:

1 Channel

Polaridad del transistor:

Canal N

Vds - Voltaje de ruptura de drenaje-fuente:

500 V

Id - Corriente de drenaje continua:

6.9 A

Rds On - Resistencia de la fuente de drenaje:

550 mOhms

Vgs - Voltaje puerta-fuente:

30 V

Temperatura mínima de funcionamiento:

- 55 C

Temperatura máxima de funcionamiento:

+ 150 C

Pd - Disipación de energía:

165 W

Configuración:

Único

Modo de canal:

Mejora

Nombre comercial:

UniFET

Embalaje:

Tubo

Altura:

16.3 mm

Longitud:

10.67 mm

Serie:

FDP12N50

Tipo de transistor:

1 N-Channel

Ancho:

4.7 mm

Marca:

ON Semiconductor / Fairchild

Transconductancia directa - Mín .:

11.5 S

Otoño:

30 ns

Tipo de producto:

MOSFET

Hora de levantarse:

50 ns

Cantidad de paquete de fábrica:

1000

Subcategoría:

MOSFET

Tiempo de retardo de apagado típico:

45 ns

Tiempo típico de retardo de encendido:

24 ns

Unidad de peso:

0.063493 oz

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FDP12N50, FDP12N5, FDP12N, FDP12, FDP1, FDP