UM6K1NTN

Atributo del producto

Valor de atributo

Fabricante:

Semiconductor ROHM

Categoria de producto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnología:

Si

Estilo de montaje:

SMD / SMT

Paquete / Caja:

SOT-363-6

Número de canales:

2 Channel

Polaridad del transistor:

Canal N

Vds - Voltaje de ruptura de drenaje-fuente:

30 V

Id - Corriente de drenaje continua:

100 mA

Rds On - Resistencia de la fuente de drenaje:

8 Ohms

Vgs th - Voltaje umbral puerta-fuente:

800 mV

Vgs - Voltaje puerta-fuente:

4 V

Temperatura máxima de funcionamiento:

+ 150 C

Pd - Disipación de energía:

150 mW

Configuración:

Doble

Modo de canal:

Mejora

Embalaje:

Carrete

Altura:

0.9 mm

Longitud:

2 mm

Producto:

Pequeña señal MOSFET

Serie:

UM6K1N

Tipo de transistor:

2 N-Channel MOSFET

Escribe:

MOSFET

Ancho:

1.25 mm

Marca:

Semiconductor ROHM

Otoño:

80 ns

Tipo de producto:

MOSFET

Hora de levantarse:

35 ns

Cantidad de paquete de fábrica:

3000

Subcategoría:

MOSFET

Tiempo de retardo de apagado típico:

80 ns

Tiempo típico de retardo de encendido:

15 ns

Parte # Alias:

UM6K1N

Unidad de peso:

0.000265 oz

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