2SD1963T100S

Atributo del producto

Valor de atributo

Fabricante:

Semiconductor ROHM

Categoria de producto:

Transistores bipolares - BJT

RoHS:

Y

Estilo de montaje:

SMD / SMT

Polaridad del transistor:

NPN

Configuración:

Único

Voltaje colector-emisor VCEO Max:

20 V

Colector- Voltaje base VCBO:

50 V

Emisor- Voltaje base VEBO:

6 V

Corriente máxima del colector de CC:

3 A

Producto de ganancia de ancho de banda fT:

150 MHz

Temperatura máxima de funcionamiento:

+ 150 C

Ganancia de corriente CC hFE Max:

270 at 500 mA, 2 V

Altura:

1.5 mm

Longitud:

4.5 mm

Embalaje:

Carrete

Ancho:

2.5 mm

Marca:

Semiconductor ROHM

Corriente continua del colector:

3 A

Colector de CC / Ganancia base hfe Min:

270

Pd - Disipación de energía:

2000 mW

Tipo de producto:

BJT - Transistores bipolares

Cantidad de paquete de fábrica:

1

Subcategoría:

Transistores

Unidad de peso:

0.004603 oz

Tags

2SD1963T, 2SD196, 2SD19, 2SD1, 2SD