TSM70N900CI C0G

Atributo del producto

Valor de atributo

Fabricante:

Semiconductor de Taiwán

Categoria de producto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnología:

Si

Estilo de montaje:

A través del orificio

Paquete / Caja:

ITO-220-3

Número de canales:

1 Channel

Polaridad del transistor:

Canal N

Vds - Voltaje de ruptura de drenaje-fuente:

700 V

Id - Corriente de drenaje continua:

4.5 A

Rds On - Resistencia de la fuente de drenaje:

900 mOhms

Vgs th - Voltaje umbral puerta-fuente:

2 V

Vgs - Voltaje puerta-fuente:

30 V

Qg - Carga de puerta:

9.7 nC

Temperatura mínima de funcionamiento:

- 55 C

Temperatura máxima de funcionamiento:

+ 150 C

Pd - Disipación de energía:

20 W

Configuración:

Único

Modo de canal:

Mejora

Embalaje:

Tubo

Marca:

Semiconductor de Taiwán

Otoño:

48 ns

Tipo de producto:

MOSFET

Hora de levantarse:

54 ns

Cantidad de paquete de fábrica:

2000

Subcategoría:

MOSFET

Tiempo de retardo de apagado típico:

34 ns

Tiempo típico de retardo de encendido:

20 ns

Tags

TSM70N9, TSM70, TSM7, TSM