RN1131MFV(TPL3)

Atributo del producto

Valor de atributo

Fabricante:

Toshiba

Categoria de producto:

Transistores bipolares - Pre-polarizados

RoHS:

N

Configuración:

Único

Polaridad del transistor:

NPN

Resistencia de entrada típica:

100 kOhms

Estilo de montaje:

SMD / SMT

Paquete / Caja:

VESM-3

Colector de CC / Ganancia base hfe Min:

120

Voltaje colector-emisor VCEO Max:

50 V

Corriente continua del colector:

100 mA

Corriente máxima del colector de CC:

100 mA

Pd - Disipación de energía:

150 mW

Temperatura mínima de funcionamiento:

- 65 C

Temperatura máxima de funcionamiento:

+ 150 C

Serie:

RN1131MFV

Embalaje:

Carrete

Colector- Voltaje base VCBO:

50 V

Ganancia de corriente CC hFE Max:

700

Emisor- Voltaje base VEBO:

5 V

Altura:

0.5 mm

Longitud:

1.2 mm

Rango de temperatura de funcionamiento:

- 65 C to + 150 C

Escribe:

Transistor de silicio epitaxial NPN

Ancho:

0.8 mm

Marca:

Toshiba

Tipo de producto:

BJTs - Transistores bipolares - Pre-polarizados

Cantidad de paquete de fábrica:

8000

Subcategoría:

Transistores

Tags

RN1131MFV(T, RN1131, RN113, RN11, RN1