FDMS0308CS

Atributo del producto

Valor de atributo

Fabricante:

EN Semiconductor

Categoria de producto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnología:

Si

Estilo de montaje:

SMD / SMT

Paquete / Caja:

Power-56-8

Número de canales:

1 Channel

Polaridad del transistor:

Canal N

Vds - Voltaje de ruptura de drenaje-fuente:

30 V

Id - Corriente de drenaje continua:

113 A

Rds On - Resistencia de la fuente de drenaje:

3.5 mOhms

Vgs th - Voltaje umbral puerta-fuente:

3 V

Vgs - Voltaje puerta-fuente:

20 V

Qg - Carga de puerta:

66 nC

Temperatura mínima de funcionamiento:

- 55 C

Temperatura máxima de funcionamiento:

+ 150 C

Pd - Disipación de energía:

65 W

Configuración:

Único

Embalaje:

Carrete

Altura:

1.1 mm

Longitud:

6 mm

Tipo de transistor:

1 N-Channel

Escribe:

Power Trench SyncFET de canal N

Ancho:

5 mm

Marca:

ON Semiconductor / Fairchild

Transconductancia directa - Mín .:

300 S

Otoño:

5 ns

Tipo de producto:

MOSFET

Hora de levantarse:

6 ns

Cantidad de paquete de fábrica:

3000

Subcategoría:

MOSFET

Tiempo de retardo de apagado típico:

35 ns

Tiempo típico de retardo de encendido:

14 ns

Unidad de peso:

0.008818 oz

Tags

FDMS0308, FDMS030, FDMS03, FDMS0, FDMS, FDM