TK6P60W,RVQ

Atributo del producto

Valor de atributo

Fabricante:

Toshiba

Categoria de producto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnología:

Si

Estilo de montaje:

SMD / SMT

Paquete / Caja:

TO-252-3

Número de canales:

1 Channel

Polaridad del transistor:

Canal N

Vds - Voltaje de ruptura de drenaje-fuente:

600 V

Id - Corriente de drenaje continua:

6.2 A

Rds On - Resistencia de la fuente de drenaje:

820 mOhms

Vgs th - Voltaje umbral puerta-fuente:

2.7 V

Vgs - Voltaje puerta-fuente:

10 V

Qg - Carga de puerta:

12 nC

Temperatura máxima de funcionamiento:

+ 150 C

Pd - Disipación de energía:

60 W

Configuración:

Único

Modo de canal:

Mejora

Embalaje:

Carrete

Altura:

2.3 mm

Longitud:

6.5 mm

Serie:

TK6P60W

Tipo de transistor:

1 N-Channel

Ancho:

5.5 mm

Marca:

Toshiba

Otoño:

7 ns

Tipo de producto:

MOSFET

Hora de levantarse:

18 ns

Cantidad de paquete de fábrica:

2000

Subcategoría:

MOSFET

Tiempo de retardo de apagado típico:

55 ns

Tiempo típico de retardo de encendido:

40 ns

Unidad de peso:

0.139332 oz

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