IPB110N20N3LFATMA1

Atributo del producto

Valor de atributo

Fabricante:

Infineon

Categoria de producto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnología:

Si

Estilo de montaje:

SMD / SMT

Paquete / Caja:

TO-263-3

Número de canales:

1 Channel

Polaridad del transistor:

Canal N

Vds - Voltaje de ruptura de drenaje-fuente:

200 V

Id - Corriente de drenaje continua:

88 A

Rds On - Resistencia de la fuente de drenaje:

9.8 mOhms

Vgs th - Voltaje umbral puerta-fuente:

2.2 V

Vgs - Voltaje puerta-fuente:

20 V

Qg - Carga de puerta:

76 nC

Temperatura mínima de funcionamiento:

- 55 C

Temperatura máxima de funcionamiento:

+ 150 C

Pd - Disipación de energía:

250 W

Configuración:

Único

Modo de canal:

Mejora

Nombre comercial:

Optimos

Embalaje:

Carrete

Serie:

Optimos 5

Tipo de transistor:

1 N-Channel

Marca:

Infineon Technologies

Transconductancia directa - Mín .:

16 S

Otoño:

26 ns

Tipo de producto:

MOSFET

Hora de levantarse:

70 ns

Cantidad de paquete de fábrica:

1000

Subcategoría:

MOSFET

Tiempo de retardo de apagado típico:

79 ns

Tiempo típico de retardo de encendido:

6 ns

Parte # Alias:

IPB110N20N3LF SP001503864

Unidad de peso:

0.077603 oz

Tags

IPB110, IPB11, IPB1, IPB