2SK3176(F)

2SK3176(F)
Mfr. #:
2SK3176(F)
Fabricante:
Toshiba
Descripción:
MOSFET MOSFET N-Ch 200V 30A Rdson 0.052 Ohm
Ciclo vital:
Nuevo de este fabricante.
Ficha de datos:
2SK3176(F) Ficha de datos
Entrega:
DHL FedEx Ups TNT EMS
Pago:
T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
ECAD Model:
Atributo del producto
Valor de atributo
Fabricante
Toshiba
categoria de producto
Transistores - FET, MOSFET - Sencillo
Unidad de peso
0.245577 oz
Estilo de montaje
A través del orificio
Paquete-Estuche
TO-3P-3
Tecnología
Si
Número de canales
1 Channel
Configuración
Único
Tipo transistor
1 N-Channel
Disipación de potencia Pd
150 W
Temperatura máxima de funcionamiento
+ 150 C
Temperatura mínima de funcionamiento
- 55 C
Otoño
25 ns
Hora de levantarse
15 ns
Vgs-Puerta-Fuente-Voltaje
20 V
Id-corriente-de-drenaje-continua
30 A
Vds-Drain-Source-Breakdown-Voltage
200 V
Resistencia a la fuente de desagüe de Rds
52 mOhms
Polaridad del transistor
Canal N
Modo de canal
Mejora
Tags
2SK317, 2SK31, 2SK3, 2SK
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Step1: Vacuum Packaging with PL
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Anti-Static Bag
Step3: Packaging Boxes
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Packaging Boxes
***ical
Trans MOSFET N-CH Si 200V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-3PN
***p One Stop Japan
Trans MOSFET N-CH 200V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-3PN
***Components
MOSFET N-Channel 200V 30A TO-3PN
***i-Key
MOSFET N-CH 200V 30A TO-3PN
***ark
MOSFET N CH 30A 200V TO3P; Transistor Type:Power MOSFET; Max Current Id:30A; Max Voltage Vds:200V; On State Resistance:0.052ohm; Rds Measurement Voltage:10V; Max Voltage Vgs:20V; Power Dissipation:150W; Transistor Case Style:TO-3P; ;RoHS Compliant: Yes
***nell
MOSFET N CH 30A 200V TO3P; Transistor Type:Power MOSFET; Transistor Polarity:N; Voltage, Vds Typ:200V; Current, Id Cont:30A; On State Resistance:0.052ohm; Voltage, Vgs Rds on Measurement:10V; Voltage, Vgs th Typ:3.5V; Case Style:TO-3P; Termination Type:Through Hole; Transistor Case Style:TO-3P
***ment14 APAC
MOSFET, N CH, 30A, 200V, TO3P; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:30A; Drain Source Voltage Vds:200V; On Resistance Rds(on):52mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs Typ:3.5V; Power Dissipation Pd:150W; Transistor Case Style:TO-3P; No. of Pins:3; Current Id Max:30A; Package / Case:TO-3P; Power Dissipation Pd:150W; Termination Type:Through Hole; Transistor Type:Power MOSFET; Voltage Vds Typ:200V; Voltage Vgs Max:20V; Voltage Vgs Rds on Measurement:10V
Parte # Mfg. Descripción Valores Precio
2SK3176(F)
DISTI # C1S751200708671
Toshiba America Electronic ComponentsTrans MOSFET N-CH 200V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-3PN
RoHS: Compliant
2090
  • 200:$10.0000
  • 100:$10.1000
  • 50:$10.9000
  • 25:$12.2000
  • 10:$12.8000
  • 5:$13.5000
2SK3176(F)
DISTI # 757-2SK3176(F)
Toshiba America Electronic ComponentsMOSFET MOSFET N-Ch 200V 30A Rdson 0.052 Ohm
RoHS: Compliant
0
    Imagen Parte # Descripción
    2SK3111-AZ

    Mfr.#: 2SK3111-AZ

    OMO.#: OMO-2SK3111-AZ-1190

    Trans MOSFET N-CH 200V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
    2SK3113

    Mfr.#: 2SK3113

    OMO.#: OMO-2SK3113-1190

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    2SK3113B-S15-AY

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    OMO.#: OMO-2SK3113B-S15-AY-1190

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    2SK3113B-ZK-E1

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    OMO.#: OMO-2SK3113B-ZK-E1-1190

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    2SK3113B-ZK-E1-AY

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    2SK3115,K3115

    Mfr.#: 2SK3115,K3115

    OMO.#: OMO-2SK3115-K3115-1190

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    2SK3115-AZ

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    2SK3117

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    OMO.#: OMO-2SK3117-1190

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    2SK3148-E

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    OMO.#: OMO-2SK3148-E-1190

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    2SK315F-SPA-AC

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    OMO.#: OMO-2SK315F-SPA-AC-1190

    - Bulk (Alt: 2SK315F-SPA-AC)
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    1
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    15,00 US$
    10
    14,25 US$
    142,50 US$
    100
    13,50 US$
    1 350,00 US$
    500
    12,75 US$
    6 375,00 US$
    1000
    12,00 US$
    12 000,00 US$
    Debido a la escasez de semiconductores a partir de 2021, el precio inferior es el precio normal antes de 2021. Envíe una consulta para confirmar.
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