IXTN46N50L

Atributo del producto

Valor de atributo

Fabricante:

IXYS

Categoria de producto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnología:

Si

Estilo de montaje:

Montaje en chasis

Paquete / Caja:

SOT-227-4

Número de canales:

1 Channel

Polaridad del transistor:

Canal N

Vds - Voltaje de ruptura de drenaje-fuente:

500 V

Id - Corriente de drenaje continua:

46 A

Rds On - Resistencia de la fuente de drenaje:

160 mOhms

Vgs - Voltaje puerta-fuente:

30 V

Temperatura mínima de funcionamiento:

- 55 C

Temperatura máxima de funcionamiento:

+ 150 C

Pd - Disipación de energía:

700 W

Configuración:

Único

Modo de canal:

Mejora

Embalaje:

Tubo

Altura:

9.6 mm

Longitud:

38.2 mm

Serie:

IXTN46N50

Tipo de transistor:

1 N-Channel

Ancho:

25.07 mm

Marca:

IXYS

Otoño:

42 ns

Tipo de producto:

MOSFET

Hora de levantarse:

50 ns

Cantidad de paquete de fábrica:

10

Subcategoría:

MOSFET

Tiempo de retardo de apagado típico:

80 ns

Tiempo típico de retardo de encendido:

40 ns

Unidad de peso:

1.058219 oz

Tags

IXTN4, IXTN, IXT