SI9945BDY-T1-GE3

Atributo del producto

Valor de atributo

Fabricante:

Vishay

Categoria de producto:

MOSFET

RoHS:

E

Tecnología:

Si

Estilo de montaje:

SMD / SMT

Paquete / Caja:

SO-8

Número de canales:

2 Channel

Polaridad del transistor:

Canal N

Vds - Voltaje de ruptura de drenaje-fuente:

60 V

Id - Corriente de drenaje continua:

5.3 A

Rds On - Resistencia de la fuente de drenaje:

58 mOhms

Vgs th - Voltaje umbral puerta-fuente:

1 V

Vgs - Voltaje puerta-fuente:

10 V

Qg - Carga de puerta:

13 nC

Temperatura mínima de funcionamiento:

- 55 C

Temperatura máxima de funcionamiento:

+ 150 C

Pd - Disipación de energía:

3.1 W

Configuración:

Doble

Modo de canal:

Mejora

Nombre comercial:

TrenchFET

Embalaje:

Carrete

Serie:

SI9

Tipo de transistor:

2 N-Channel

Marca:

Vishay / Siliconix

Transconductancia directa - Mín .:

15 S

Otoño:

10 ns

Tipo de producto:

MOSFET

Hora de levantarse:

15 ns, 65 ns

Cantidad de paquete de fábrica:

2500

Subcategoría:

MOSFET

Tiempo de retardo de apagado típico:

10 ns, 15 ns

Tiempo típico de retardo de encendido:

15 ns, 20 ns

Parte # Alias:

SI9945BDY-GE3

Unidad de peso:

0.006596 oz

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SI9945BDY-T1-G, SI9945BDY-T, SI9945BD, SI9945B, SI9945, SI994, SI99, SI9