BSS8402DW-7-F

Atributo del producto

Valor de atributo

Fabricante:

Diodos incorporados

Categoria de producto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnología:

Si

Estilo de montaje:

SMD / SMT

Paquete / Caja:

SOT-363-6

Número de canales:

2 Channel

Polaridad del transistor:

Canal N, canal P

Vds - Voltaje de ruptura de drenaje-fuente:

60 V, 50 V

Id - Corriente de drenaje continua:

115 mA, 130 mA

Rds On - Resistencia de la fuente de drenaje:

7.5 Ohms, 10 Ohms

Vgs th - Voltaje umbral puerta-fuente:

1 V, 800 mV

Vgs - Voltaje puerta-fuente:

5 V

Temperatura mínima de funcionamiento:

- 55 C

Temperatura máxima de funcionamiento:

+ 150 C

Pd - Disipación de energía:

200 mW

Configuración:

Doble

Modo de canal:

Mejora

Embalaje:

Carrete

Altura:

1 mm

Longitud:

2.2 mm

Producto:

Pequeña señal MOSFET

Serie:

BSS84

Tipo de transistor:

1 N-Channel, 1 P-Channel

Escribe:

Transistor de efecto de campo en modo de mejora

Ancho:

1.35 mm

Marca:

Diodos incorporados

Transconductancia directa - Mín .:

0.08 S, 0.05 S

Tipo de producto:

MOSFET

Cantidad de paquete de fábrica:

3000

Subcategoría:

MOSFET

Tiempo de retardo de apagado típico:

11 ns, 18 ns

Tiempo típico de retardo de encendido:

7 ns, 10 ns

Unidad de peso:

0.000212 oz

Tags

BSS8402DW-7-F, BSS8402DW-7, BSS840, BSS84, BSS8, BSS