NP90N06VLG-E1-AY

Atributo del producto

Valor de atributo

Fabricante:

Electrónica Renesas

Categoria de producto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnología:

Si

Estilo de montaje:

SMD / SMT

Paquete / Caja:

TO-252-3

Polaridad del transistor:

Canal N

Vds - Voltaje de ruptura de drenaje-fuente:

60 V

Id - Corriente de drenaje continua:

90 A

Vgs th - Voltaje umbral puerta-fuente:

2.5 V

Vgs - Voltaje puerta-fuente:

20 V

Qg - Carga de puerta:

90 nC

Temperatura máxima de funcionamiento:

+ 150 C

Pd - Disipación de energía:

105 W

Embalaje:

Carrete

Marca:

Electrónica Renesas

Transconductancia directa - Mín .:

66 S

Otoño:

7 ns

Sensible a la humedad:

Yes

Tipo de producto:

MOSFET

Hora de levantarse:

13 ns

Cantidad de paquete de fábrica:

2500

Subcategoría:

MOSFET

Tiempo de retardo de apagado típico:

76 ns

Tiempo típico de retardo de encendido:

17 ns

Unidad de peso:

0.011993 oz

Tags

NP90N06, NP90N, NP90, NP9